中国科学院王占国院士应邀来我校讲学

    4月22日，中国科学院半导体研究所王占国院士应邀到我校做精彩学术报告。报告题为“第三代半导体材料及器件应用研究”，在行政楼第三会议室举行。报告由科研处处长王永芹主持，科研处副处长李燕、机电学院、数理学院、化学化工与材料学院及信息工程学院的科研院长、相关专业骨干教师和学生听取了报告。
    王院士从第三代半导体材料谈起，首先介绍了GaN基（包括GaN、AlGaN、AlN等）、SiC基（4H-SiC和6H-SiC）、ZnO的特性、制备技术和器件应用，特别是对目前研究中存在的问题进行了深入浅出的讲解，并提出了可能的解决方案。随后王院士还介绍了目前研究的热点超宽禁带半导体材料，如β-Ga2O3 、半导体金刚石、立方氮化硼（cBN）和钙钛矿结构材料的发展现状和趋势，对其在微电子、光电子，特别在紫外、深紫外发光与探测器件的不可取代的应用优势进行了阐述。
    应参会师生的要求，王院士结合自己多年来申请课题和审核各级课题的经验，就如何撰写课题申请书及在课题申请中应该注意的问题进行了阐述。并与我校教师进行亲切交流，就大家提出的问题，逐一解答。
    王院士丰富渊博的知识、敏锐的学术思维、严谨的治学精神和谦虚宽厚的为人态度感染了在场的每一位师生，大家感觉受益匪浅，扩展眼界的同时增加了对学习和科研的热情。